一度成为“吸金狂”的国内碳化硅赛道至今热度依然不小。1月21日，碳化硅（SiC）半导体领域领先者上海瞻芯电子科技股份有限公司（下称“瞻芯电子”）对外宣布，公司完成了C轮融资首批近十亿元资金交割。
从此前融资历程来看，2017年成立至今，瞻芯电子已累计完成了逾二十亿元股权融资。据悉，此次C轮融资，由国开制造业转型升级基金领投，中金资本、老股东金石投资、芯鑫跟投。
瞻芯电子本轮首批融资款将主要用于产品和工艺研发、碳化硅（SiC）晶圆厂扩产及公司运营等开支，以持续提升产品的市场竞争力，增强晶圆厂的保供能力，满足快速增长的市场需求。
瞻芯电子聚焦于开发碳化硅（SiC）功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅（SiC）功率模块产品，并围绕碳化硅（SiC）功率半导体应用，为客户提供一站式（Turn-key）芯片解决方案。该公司已全面导入新能源汽车、光伏与储能、工业电源和充电桩等重要市场。
截至目前，瞻芯电子产品在光伏、工业、新能源汽车行业头部客户已实现大规模应用。据介绍，过去的2024年里，瞻芯电子市场份额进一步扩大，销售业绩大幅增长100%以上，累计交付SiC MOSFET产品逾1600万颗，SiC SBD产品逾1800万颗，驱动芯片近6000万颗。
瞻芯电子相关负责人对澎湃新闻（www.thepaper.cn）记者表示，过去一年中，公司继续巩固并拓展了新能源汽车、光伏与储能、充电桩和工业电源等市场。“特别是突破了技术门槛最高、市场需求最大的新能源汽车主驱逆变器市场，赢得多家整车和零部件厂商的主驱SiC模块项目定点，并开始小批量交付首家商用车主驱客户。”
作为次轮融资的领投方，国开制造业转型升级基金表示，从产业链视角出发，我国碳化硅产业链下游应用端的新能源汽车、光伏行业优势明显，产业链上游材料端的衬底外延等性能指标迅速提升，位于产业链中游的碳化硅器件制造行业有巨大的增长潜力。“围绕下游客户对于功率半导体性能与可靠性的核心诉求，具备SiC MOSFET产品稳定量产能力与应用历史、拥有自主设计与工艺迭代能力的企业值得关注。”
作为第三代半导体材料典型代表，碳化硅具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高压、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。在光伏、储能、新能源汽车等下游市场的蓬勃发展下，碳化硅材料需求正呈现出井喷态势。
碳化硅产业链较长，涉及衬底、外延、器件设计、器件制造、封测等环节，同时各环节对专业技术和资本投入都有着较高的门槛。“国内这个行业从材料开始算的话，衬底、外延这两个环节起步超过10年了，截至目前已经发展到可以跟国际厂家公平竞争的一个阶段，也都进入了海外供应链。”
瞻芯电子CEO张永熙博士此前在接受澎湃新闻（www.thepaper.cn）记者采访时表示，反观碳化硅器件设计和制造环节，“国内企业起步相对较晚，基本始于五六年前，截至目前都处于奋力追赶国际同行的阶段。”其彼时提到，大规模量产、长期可靠性、市场品牌等方面均是国内企业追赶的方向。
瞻芯电子于2017年7月注册成立于临港新片区。值得一提的是，在临港新片区着力打造的“4+2+2”前沿产业体系中，集成电路产业绝对是核心组成。发展至今，集成电路已经是临港新片区投资规模最大、产业集聚度最高、产值增长最快的先导产业。瞻芯电子则是上海临港这片集成电路新高地中颇为亮眼的一员。
成立9个月不到的时间，瞻芯电子的第一片国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆诞生。成立3年，第一颗量产碳化硅（SiC）MOSFET产品发布。2022年，该公司还完成了重要一步，即从一家fabless（注：无晶圆制造）公司成长为IDM（注：设计制造一体）公司。2024年6月，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产；其第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD3款产品，主要用于车载电驱动系统。
澎湃新闻记者从瞻芯电子方面了解，2025该公司将同步推进晶圆厂扩产与产品迭代创新。“在产能扩充方面，公司将持续加大对6英寸SiC晶圆厂的投入，进一步扩大产能规模，同时继续优化生产管控，着力提升产品良率，以强化成本控制，确保产品供应的稳定性与充足性。”
上述负责人同时表示，“在产品迭代创新层面，公司计划推出更具竞争力的沟槽栅型 SiC MOSFET 以及功能更全面的驱动芯片产品系列。”
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